SI4382DY-T1-GE3 datasheet
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>> SI4382DY-T1-GE3 MOSFET 30V 4.7mohm @ 10V datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
SI4382DY-T1-GE3
库存数量:
可订货
制造商:
Vishay/Siliconix
描述:
MOSFET 30V 4.7mohm @ 10V
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述
MOSFET 30V 4.7mohm @ 10V
制造商
Vishay/Siliconix
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
30 V
闸/源击穿电压
+/- 20 V
漏极连续电流
13 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)
37 mOhms
配置
Single
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8 Narrow
封装
Reel
相关资料
属性
链接
代理商
SI4382DY-T1-GE3
SI4384DY-T1-E3
SI4384DY-T1-E3..
SI4384DY-T1-GE3
SI4386DY-T1-E3
SI4386DY-T1-E3【原装正品】
供应商
公司名
电话
深圳市毅创辉电子科技有限公司
19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697
雷春艳
聚芯优品(深圳)控股集团有限公司
13302441830
邓生
深圳市硕赢互动信息技术有限公司
-
Allen
深圳市亚泰盈科电子有限公司
15338868823
郑小姐
深圳市宝芯创电子有限公司
0755-83228629
陈先生
深圳市硕赢互动信息技术有限公司
13041943973
小徐
SI4382DY-T1-GE3 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
1,050
2.802
2942.1
2,500
2.07
5175
5,000
2.042
10210
7,500
2.002
15015
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